Baru -baru ini, para insinyur di University of California, Berkeley, menggambarkan terobosan dalam desain transistor (sakelar elektronik kecil yang membentuk blok bangunan komputer) yang secara dramatis dapat mengurangi konsumsi daya mereka tanpa mengorbankan kecepatan, ukuran, atau kinerja. Elemen ini disebut lapisan gerbang oksida, yang memainkan peran penting dalam beralih transistor.
Dalam penelitian ini, tim juga mencapai kapasitansi negatif dengan menggabungkan hafnium dan zirkonium oksida dalam struktur kristal yang direkayasa yang disebut superlattice, yang memungkinkan baik ferroelektrik dan antiferroelektrik yang ada secara bersamaan. Transistor ini ditemukan membutuhkan tegangan sekitar 30% lebih sedikit daripada transistor yang ada sambil mempertahankan tolok ukur industri semikonduktor tanpa mengorbankan keandalan.
Tes aplikasi baru Zirconia ini lebih lanjut menunjukkan bahwa potensi pengembangan komponen keramik zirkonia sangat besar. The traditional application of zirconia is mainly to zirconia ceramic axes and structural ceramic components, as raw material for refractories, coatings, glazes, etc. With a deep understanding of the thermodynamic and electrical properties of zirconia ceramics, it is possible to widely use it as Bahan keramik dielektrik dan struktural padat berkinerja tinggi.