Di recente, gli ingegneri dell'Università della California, Berkeley, hanno descritto una svolta nella progettazione di transistor (piccoli switch elettronici che compongono blocchi per computer) che possono ridurre drasticamente il loro consumo di energia senza sacrificare la velocità, le dimensioni o le prestazioni. Questo elemento è chiamato strato di ossido di gate, che svolge un ruolo cruciale nel cambio di transistor.
In questo studio, il team ha anche raggiunto la capacità negativa combinando l'ossido di hafnium e zirconio in una struttura cristallina ingegnerizzata chiamata Superlattice, che ha permesso sia la ferroelettricità che l'antiferroelettricità. È stato riscontrato che questi transistor richiedono circa il 30% in meno di tensione rispetto ai transistor esistenti mantenendo il benchmark del settore dei semiconduttori senza sacrificare l'affidabilità.
Questo test della nuova applicazione di Zirconia mostra inoltre che il potenziale di sviluppo dei componenti ceramici di zirconia è enorme. La tradizionale applicazione di zirconia è principalmente su assi in ceramica di zirconia e componenti ceramici strutturali, come materia prima per rifrattori, rivestimenti, smalti, ecc. Con una profonda comprensione delle proprietà termodinamiche ed elettriche della ceramica di zirconia un materiale dielettrico e strutturale solido ad alte prestazioni.