Recentemente, os engenheiros da Universidade da Califórnia, Berkeley, descreveram um avanço no design de transistores (pequenos interruptores eletrônicos que compõem blocos de construção de computadores) que podem reduzir drasticamente seu consumo de energia sem sacrificar a velocidade, tamanho ou desempenho. Esse elemento é chamado de camada de óxido de porta, que desempenha um papel crucial na troca de transistores.
Neste estudo, a equipe também alcançou capacitância negativa combinando o óxido de Hafnium e Zircônio em uma estrutura de cristal de engenharia chamada superlattice, o que permitiu que a ferroeletricidade e a antiferroeletricidade existissem simultaneamente. Verificou -se que esses transistores exigem cerca de 30% menos tensão do que os transistores existentes, mantendo a referência da indústria de semicondutores sem sacrificar a confiabilidade.
Esse teste da nova aplicação da Zircônia mostra ainda que o potencial de desenvolvimento dos componentes de cerâmica de zircônia é enorme. A aplicação tradicional da zircônia é principalmente para eixos de cerâmica de zircônia e componentes de cerâmica estrutural, como matéria -prima para refratários, revestimentos, esmaltes, etc. Com uma compreensão profunda das propriedades termodinâmicas e elétricas da cerâmica de zircônia, é possível usá -lo amplamente, como como Um material dielétrico e de cerâmica estrutural sólido de alto desempenho.