Nyligen beskrev ingenjörer vid University of California, Berkeley, ett genombrott i utformningen av transistorer (små elektroniska switchar som utgör datorbyggnadsblock) som dramatiskt kan minska deras kraftförbrukning utan att offra hastighet, storlek eller prestanda. Detta element kallas grindoxidskiktet, som spelar en avgörande roll för att byta transistorer.
I denna studie uppnådde teamet också negativ kapacitans genom att kombinera hafnium och zirkoniumoxid i en konstruerad kristallstruktur som kallas superlattice, vilket gjorde det möjligt för både ferroelektricitet och antiferroelektricitet att existera samtidigt. Dessa transistorer visade sig kräva cirka 30% mindre spänning än befintliga transistorer medan de bibehöll halvledarindustrins riktmärke utan att offra tillförlitligheten.
Detta test av Zirconias nya applikation visar vidare att utvecklingspotentialen för zirkoniumkeramiska komponenter är enormt. Den traditionella appliceringen av zirkoniumor är främst på zirkoniumkeramiska axlar och strukturella keramiska komponenter, som råmaterial för eldfast, beläggningar, glasurer, etc. Med en djup förståelse av termodynamiska och elektriska egenskaper hos zirkoniumkeramik är det möjligt att använda det så som så är så som så så Ett högpresterande fast dielektriskt och strukturellt keramiskt material.